Проаналізовано дві задачі дифузії домішки в твердому тілі зі зміною стану атомів, що дифундують: 1) дифузія зі створенням та розпадом нерухомих комплексів для випадку, коли концентрація вловлювачів значно перевищує концентрацію комплексів; 2) дифузія за міжвузловинно-вузловим механізмом з обміном між станами, який здійснюється за участю власних міжвузловинних атомів (дифузія з витісненням). Аналітичні розв'язки отримано в явному вигляді.

Ключ. слова: diffusion, radioactive transmutation isotopes, irradidtion, high-energy charged particles
Індекс рубрикатора НБУВ: В375.6

Рубрики:

Дифузія, самодифузія і внутрішнє тертя (в'язкість) в твердих тілах

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто специфічні властивості механізмів атомної дифузії у напівпровідниках, визначених взаємодією домішок і точкових дефектів з електронно-дірковою підсистемою. Ця взаємодія виявляє себе у перерозподілі домішки по зарядовим станам, які розрізняються за дифузійною рухомостю, у змінюванні концентрації точкових дефектів і вакансій та власних міжвузлових атомів, за участю яких здійснюється дифузія домішки (або самодифузія), а також в існуванні внутрішнього електричного поля. Зазначено, що важливою проблемою вивчення механізмів атомної дифузії в напівпровідниках є з'ясування ролі точкових дефектів у дифузії домішок і самодифузії.